Фазоутворення у плівковій композиції Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO[sub]2[/sub](370 нм) на монокристалічному кремнію орієнтації (001)

Методами рентгенівської дифракції, растрової електронної мікроскопії і резистометрії досліджені твердотільні реакції в плівковій композиції Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO2(370 нм) на монокристалічному кремнії орієнтації (001). До сліджувану плівкову композицію отримано послідовним електронно-променевим осадженням шарів елементів у вакуумі не нижче 10-4 Па без розвакуумування на підкладку кремнію з ша ром оксиду на поверхні. Вакуумні відпали зразків про водились у температурному інтервалі 770 – 1170 К протягом од нієї години. Встановлено, що перша силіцидна фаза міді Cu15Si4 формується після відпалу при температурі 970 К, а відпал при 1070 К супроводжується утворенням потрійної сполуки СuTiSi і TiSi2.

Рік видання: 
2008
Номер: 
4
УДК: 
539.216.2:661.685
С. 103-107, укр., Іл. 3. Бібліогр.: 8 назв.
Література: 

1. Laurila T., Zeng K., Kivilahti J.K., Molarius J., Suni I. Chemical stability of Ta diffusion barrier between Cu and Si // Thin Solid Films. – 2000. – 373. – P. 64–67.
2. Properties of Metal Silicides / Ed. by Karen Maex and Marc Van Rossum; Emis. Datareviews Series. – 1995. – N14. – 350 p.
3. Benouattas N., Mosser A., Raiser D., Faerber J., Bouabellou A. Behaviour of copper atoms in annealed Cu/SiOx/Si systems // J. Appl. Surf. Sci. – 2000. – 153. – P. 79–84.
4. Youn Tae Kim, Chi-Hoon Jun, Dae Yong Kim. Barrier properties of TiN/TiSi2 bilayers formed by two-step rapid thermal conversion process for Cu diffusion barrier // Thin Solid Films. – 1999. – 347. – P. 214–219.
5. Jangwoong Unm J., Hyeongtag J. TiN diffusion barrier grown by atomic layer deposition method for Cu metallization // J. Appl. Phys. – 2001. – 40. – P. 4657–4660.
6. Boltovets N.S., Kashin G.N., Konakova R.V. еt al. Study of interactions between phases that occur during formation of Au–Ti–SiO2 thin-film systems // Proc. of the 12th Intern. Simp. “Thin Films in Electronics”. – 2000. – Р. 199– 200.
7. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П. и др. Исследование твердофазных реакций в пленочной системе Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10 нм)/SiO2(370 нм) на кремнии // Сб. докл. “Тонкие пленки в оптике и электронике”. – 2003. – C. 56–60.
8. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Ту К.-Н. и др. Фазообразование в пленочной системе Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/ Ti(10 нм)/SiO2(370 нм) на монокристаллическом кремнии (100) // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. – 27, №8. – C. 1017–1025.

Текст статтіРозмір
2008-4-15.pdf221.87 КБ

Тематичні розділи журналу

,