Поляризаційні характеристики електролюмінесценції, що супроводжує електричний пробій p–n-структур на карбіді кремнію

Уперше отримано спектральну залежність ступеня лінійної поляризації електролюмінесценції, що супроводжує елек¬тричний пробій сплавних p–n-структур, виготовлених на основі політипів SiC–4Н, 6Н, 15R, а також кубічного карбіду кремнію в діапазоні 1,4–3,8 еВ. Структури розміщували на гранях кристалів, паралельних і перпендикулярних до кристалографічної осі С. Випромінювання виводили з боку тонкої р-області перпендикулярно та під гострим кутом до робочої грані кристала. Виявлено компоненти випромінювання, що мають лінійну поляризацію у площині, паралельній і перпендикулярній до осі С (ЕС, ЕС) та паралельній до вектора F напруженості електричного поля у p–n-переході (ЕF). Енергетичне положення та інтенсивність компонент, пов’язаних із напрямком осі С, мають суттєві відмінності в різних політипах. Загальною рисою для всіх політипів є наявність поляризації (зі ступенем 0,3–0,4) у площині ЕС в області фундаментального по¬глинання та прилеглій ділянці. Відповідність поляризаційних характеристик випромінювання даним по оптичному поглинанню має місце лише в окремих випадках. Поляризація ЕF досягає ступеня 0,5 та має тенденцію до зростання в бік великих енергій фотона.

Рік видання: 
2014
Номер: 
1
УДК: 
535.51; 537.5
С. 71–78.
Література: 

1. Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. — 2002. — 36, № 7. — С. 769—793.
2. Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния / В.И.Санкин, А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, А.Г. Петров // Письма в ЖЭТФ. — 2011. — 94, № 5. — С. 393—396.
3. Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П. Влияние длительной работы и температуры на спектры карбидкремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // Журн. техн. физики. — 1999. — 69, № 10. — С. 69—76.
4. Елементи та системи поляризаційних приладів для космічних досліджень / М.Д. Гераїмчук, О.М. Генкін, О.В. Івахів та ін. — К.: ЕКМО, 2009. — 188 с.
5. Алтайский Ю.М., Генкин А.М. О спектрах предпробойной электролюминесценции в карбиде кремния политипа 6Н // Физика и техника полупроводников. — 1980. — 14, № 7. — С. 1397—1399.
6. Алтайский Ю.М., Генкин А.М. О предпробойном излучении в SiC—15R // Техника средств связи. Сер. Общетехн. — 1982. — № 5. — С. 37—40.
7. Анизотропия поляризационных характеристик предпробойного свечения диодных структур на основе карбида кремния / В.В. Гуц, Л.А. Косяченко, И.В. Малимон, И.В. Солончук // Укр. физ. журн. — 1986. — 31, № 1. — С. 90—93.
8. Гуц В.В., Малимон И.В., Солончук И.В. Поляризация предпробойного излучения диодных структур на карбиде кремния // Журн. прикл. спектроскопии. — 1987. — 46, № 1. — С. 153—156.
9. Шеклифф У. Поляризованный свет. — М.: Мир, 1965. — 264 с.
10. Волкова Е.А. Поляризационные измерения. — М.: Из-во стандартов, 1974. — 146 с.
11. G.V. Dubrovskii et al., “Optical absorption assoclated with superlattice in silicon carbide crystals”, Phys. Status Solidi B, vol. 57, no. 1, pp. 423—431, 1973.

Список літератури у транслітерації: 

1. Sankin V.I. Van'e-shtarkovskai͡a lokalizat͡sii͡a v estestvennoĭ sverkhreshetke politipov karbida kremnii͡a. Obzor // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2002. – 36, # 7. – S. 769–793.
2. Teragert͡sovoe izluchenie, vyzvannoe van'e-shtarkovskoĭ lokalizat͡sieĭ ėlektronov v estestvennoĭ sverkhreshetke karbida kremnii͡a / V.I. Sankin, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.G. Petrov // Pis'ma v ZhĖTF. – 2011. – 94, # 5. – S. 393–396.
3. Genkin A.M., Genkina V.K., Germash L.P. Vlii͡anie dlitel'noĭ raboty i temperatury na spektry karbid-kremnievykh svetodiodov, rabotai͡ushchikh v rezhime ėlektricheskogo proboi͡a // Zhurnal tekhn. fiziki. – 1999. – 69, # 10. – S. 69–76.
4. Elementy ta systemy poli͡aryzat͡siĭnykh pryladiv dli͡a kosmichnykh doslidz͡hen′ / M.D. Heraïmchuk, O.M. Henkin, O.V. Ivakhiv ta in. – K.: EKMO, 2009. – 188 s.
5. Altaĭskiĭ I͡U.M., Genkin A.M. O spektrakh predproboĭnoĭ ėlektroli͡uminest͡sent͡sii v karbide kremnii͡a politipa 6N // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 1980. – 14, # 7. – S. 1397–1399.
6. Altaĭskiĭ I͡U.M., Genkin A.M. O predproboĭnom izluchenii v SiC–15R // Tekhnika sredstv svi͡azi. Ser. Obshchetekhn. – 1982. – # 5. – S. 37–40.
7. Anizotropii͡a poli͡arizat͡sionnykh kharakteristik predproboĭnogo svechenii͡a diodnykh struktur na osnove karbida kremnii͡a / V.V. Gut͡s, L.A. Kosi͡achenko, I.V. Malimon, I.V. Solonchuk // Ukr. fiz. zhurn. – 1986. – 31, # 1. – S. 90–93.
8. Gut͡s V.V., Malimon I.V., Solonchuk I.V. Poli͡arizat͡sii͡a predproboĭnogo izluchenii͡a diodnykh struktur na karbide kremnii͡a // Zhurn. prikladnoĭ spektroskopii. – 1987. – 46, # 1. – S. 153–156.
9. Shekliff U. Poli͡arizovannyĭ svet. – M.: Mir, 1965. – 264 s.
10. Volkova E.A. Poli͡arizat͡sionnye izmerenii͡a. – M.: Iz-vo standartov, 1974. – 146 s.
11. G.V. Dubrovskii et al., “Optical absorption assoclated with superlattice in silicon carbide crystals”, Phys. Status Solidi B, vol. 57, no. 1, pp. 423–431, 1973.

Текст статтіРозмір
2014-1-11.pdf341.42 КБ