Silicon carbide based broadband etalon emitters for the UV-region

In this paper, we studied the influence of the microplasma structure, operating voltage and temperature on the ultraviolet component of the spectrum distribution of quantum output of SiC-6H and SiC15R based light emitting diodes, working in the electrical breakdown regime. Moreover, revealed was the well-formed connection of samples parameters with the initial crystallites properties and microplasma structure of the breakdown. The obtained results proved the probability of the range extension of the devices’ stable work in the ultraviolet region to 250nm.

Publication year: 
2008
Issue: 
4
УДК: 
541.451
С. 20 – 26, укр., Іл. 8. Бібліогр.: 7 назв.
References: 

1. Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П. Влияние длительной работы и температуры на спектры карбидкремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // Журн. техн. физики. – 1999. – 69, вып. 10. – С. 69–76.
2. Алтайский Ю.М., Генкин А.М., Генкина В.К., Огнева Л.Г. Пробойная электролюминесценция светодиодов на базе карбида кремния // Электронная техника. Сер. 2. – 1987. – Вып. 4 (190). – С.76–78.
3. Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К., Станкевич С.А. Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // Журн. техн. физики. – 1999. – 67, вып. 1. – С. 130–132.
4. Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. – 2002. – 36, вып. 7. – С. 769–793.
5. Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К. Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния // Физика и техника полупроводников. – 1999. – 33, вып. 6. – С. 727–732.
6. Зубкова С.М., Русина Л.Н., Смелянская Е.В. Температурная зависимость зонной структуры политипов 3С, 2Н, 4Н и 6Н карбида кремния // Там же. – 2003. – 37, вып. 3. – С. 257–265.
7. Genkin A.M., Genkina V.K., Germash L.P., Zubkova S.M. Oscillatory structure in radiation spektra of individual microplasmas in silicon carbide p-n-junctions // European Physical Journal. Applied Physics. – 2006. – 33. – Р. 161– 167.

AttachmentSize
2008-4-4.pdf196.15 KB

Тематичні розділи журналу

,