The investigation of mechanical stresses in Ta(100–540 nm) FILM/Si(001) single crystal thin film compositions

Автори

This paper studies the influence of basic parameters of production of Ta(100-540 nm)/Si(001)thin film compositions, such as substrate temperature during Ta film deposition, Ta film thickness and further thermal treatment parameters at temperature range of 570–1070 K on the magnitude and sign of mechanical stresses. Moreover, the possible mechanisms of stresses emergence in the thin film compositions are highlighted.

Publication year: 
2008
Issue: 
5
УДК: 
539.216.2:661.685
С. 73–77, укр., Іл. 6. Бібліогр.: 16 назви.
References: 

1. Colgan E.G., Cambino J.P., Hong Q.Z. Formation and stability of silicides on polycrystalline silicon // Materials Science and Engineering. — 1996. — R16. — P. 43—96.
2. Sinha A.K. Metalization technology for very-large-scale integration circuits // Thin Solid Films. — 1982. — 90. — P. 271—285.
3. Tien D., Ottaviani G., Tu K.N. Kinetics of crystallization Ta-Si // J. Appl. Phys. — 1983. — 54, N 12. — P. 7056— 7062.
4. Neppl F., Fischer E., Schwabe U. A Ta-Si barrier for low resistivity and high reliability of contacts to shallow diffusion regions in silicon // Thin Solid Films. — 1984. — 20. — P. 257—266.
5. Daneshvar K. The rapid isothermal annealing of tantalum silicide // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. — 1985. — B.10/11. — P. 529—531.
6. Wileen Chu, Alokes P., Bhandia B. Effects of deposition parameters on the growth of thermal oxide on silicides over single crystal silicon // J. Vac. Sci. Technol. — 1984. — B.2, N 4. — P. 707—709.
7. Natan M. Structure and properties of rapidly thermal annealed Ta/Si multilayers // Ibid. — 1985. — B.3, N 6. — P. 1707—1714.
8. Maa J.-S., Magee C.W., O’Neill J.J. Phosphorus out diffusiton from double-layers tantalum silicide polycrystalline silicon structure // J. Vac. Sci. B. — 1983. — 1, N 1. — P. 1—5.
9. Makogon Yu.N., Maximovich L.P., Sidorenko S.I. Phase formation processes and electrical properties of tantalumsilicon thin films // Met. Phys. Adv. Tech. — 1996. — 15. — P. 969—973.
10. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. — М.: Наука. — 1972. — С. 24—30.
11. Павилайнен В.С., Леонова Н.Н., Белугин А.Г. Напряженное состояние конденсированных пленок алюминия, палладия и ванадия // Физика и химия обработки материалов. — 1975. — № 4. — С. 54—57.
12. Романов А.С., Щеглова В.В. Полупроводниковые приборы. Сер. 2. Вып. 6(798). Механические напряжения в тонких пленках // Реферативно-аналитический обзор. — М.: ЦНИИ “Электроника”, 1981. — 68 с.
13. Фирстова И.С., Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н. Трещиностойкость поверхностных слоев кремния с покрытиями // Физическое материаловедение, структура и свойства материалов. Сер. 1. — 1999. — С. 172— 178.
14. d’Heurle F.M., Thomas O. Stress during of silicides formation // Diffusion Forum. — 1996. — 5, N 129—130. — P. 137—150.
15. Zang S.-L. Stress in silicides thin films obtained by solid state reaction // Silicides, Fundamentals and Application. — 1999. — P. 303—314.
16. Nur O., Willander M., Radamson H.H. et al. Strain characterization of CoSi2/Si/Ge heterostructures // Appl. Phys. Lett. — 1994. — 64, N 4. — P. 440—443.

AttachmentSize
2008-5-10.pdf239.56 KB

Тематичні розділи журналу

,