Model representations on introduction of rare-earth dopants (Eu and Y) in nanocrystalline silicon

Автори

In this paper, we reveal model representations on the nature of RE dopant centers in nanocrystalline silicon films. Using the results of chemical composition analysis and temperature measurements of resistance, we compare theoretical and experimental data. Crucially, we determine that the nature of dopant centers changes depending on the conditions of films processing (temperature deposition) and dopants concentration.

Publication year: 
2009
Issue: 
6
УДК: 
681.382
С. 5—9, укр., Іл. 2. Бібліогр.: 7 назв.
References: 

1. Мездрогина М.М., Аннаоразова М.П., Теруков Е.И. Формирование оптически активных центров в пленках аморфного гидрированного кремния при легировании эрбием // Физика и техника полупроводников. — 1999. — 33, № 10. — С. 1260—1263.
2. Emtsev V.V., Ammerlaan C.A.J., Andreev B.A. Shallow donors in silicon coimplanted with rare-earth ions and oxygen // Physica B. — 2001. — 308-310. — P. 350—353.
3. Prokofiev A.A., Yassievich I.N., Vrielinck H. Microscopic theory of erbium ion de-excitation processes in silicon // Optical materials. — 2006. — 28. — P. 825—830.
4. Коваль В.М., Шмырева А.Н. Гетероструктурные преобразователи на основе нанокристаллического кремния // Радиотехника: Сб. научн. тр. — Харьков: ХНУРЭ, 2006. — Вып. 145. — С. 57—62.
5. Коваль В.М., Шмирєва О.М. Дослідження домішкових центрів Eu в кремнієвих плівках // Наукові вісті НТУУ “КПІ”. — 2007. — № 5. — С. 36—40.
6. Коваль В.М., Шмырева А.Н. Гетероструктурные преобразователи на основе пленок nc-Si:Eu // Харьк. нанотехн. ассамблея-2006: Тез. докл. — Харьков: ХФТИ, 2006. — С. 185.
7. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / Пер. с англ. — М.: Мир, 1977. — 562 с.

AttachmentSize
2009-6-1.pdf263.98 KB

Тематичні розділи журналу

,