Широкополосные эталонные излучатели для УФ-области на основе карбида кремния

Исследовано влияние микроплазменной структуры, рабочего напряжения и температуры на ультрафиолетовую компоненту спектрального распределения квантового выхода светодиодов на основе SiC-6H и SiC-15R, работающих в режиме электрического пробоя. Выявлена закономерная связь характеристик образцов со свойствами исходных кристаллов и микроплазменной структурой пробоя. Полученные результаты свидетельствуют о возможности расширения диапазона стабильной работы приборов в ультрафиолетовую область до 250 нм.

Год издания: 
2008
Номер: 
4
УДК: 
541.451
С. 20 – 26, укр., Іл. 8. Бібліогр.: 7 назв.
Литература: 

1. Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П. Влияние длительной работы и температуры на спектры карбидкремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // Журн. техн. физики. – 1999. – 69, вып. 10. – С. 69–76.
2. Алтайский Ю.М., Генкин А.М., Генкина В.К., Огнева Л.Г. Пробойная электролюминесценция светодиодов на базе карбида кремния // Электронная техника. Сер. 2. – 1987. – Вып. 4 (190). – С.76–78.
3. Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К., Станкевич С.А. Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя // Журн. техн. физики. – 1999. – 67, вып. 1. – С. 130–132.
4. Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. – 2002. – 36, вып. 7. – С. 769–793.
5. Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К. Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния // Физика и техника полупроводников. – 1999. – 33, вып. 6. – С. 727–732.
6. Зубкова С.М., Русина Л.Н., Смелянская Е.В. Температурная зависимость зонной структуры политипов 3С, 2Н, 4Н и 6Н карбида кремния // Там же. – 2003. – 37, вып. 3. – С. 257–265.
7. Genkin A.M., Genkina V.K., Germash L.P., Zubkova S.M. Oscillatory structure in radiation spektra of individual microplasmas in silicon carbide p-n-junctions // European Physical Journal. Applied Physics. – 2006. – 33. – Р. 161– 167.

Полнотекстовый документSize
2008-4-4.pdf196.15 KB