Оптические и пассивирующие свойства нитрида кремния

Рассмотрены физико-технологические процессы повышения эффективности преобразования фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического и мультикристаллического кремния. Исследованы оптические и пассивирующие свойства пленок нитрида кремния, полученных плазмохимическим осаждением.

Год издания: 
2008
Номер: 
6
УДК: 
621.383
С. 14–19, укр., Іл. 6. Бібліогр.: 20 назв.
Литература: 

1. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент / Пер. с англ. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 280 с.
2. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. – М.: Сов. радио, 1970. – 392 с.
3. Green M.A. Third generation photovoltaic – theoretical and experimental progress // Proc. of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. – Paris (France), 2004. – P. 12–19.
4. Roca F., Carabe J. Silicon heterojunction cells // Ibid. – P. 1321–1328.
5. Yasler C., Koch W., Krumbe W., Thurm S. Multicrystalline Baysix silicon for high-efficient solar cells from the new freiberg production facility // Proc. of the 2nd World Conf. and Exhibition on Solar Energy Conversion. – Vienna, 1998. – P. 463.
6. Longo C., De Paoli M. Dye-Sensitized Solar Cells: A Successful Combination of Materials // J. Braz. Chem. Soc. – 2003. – 14, N6. – P. 889–901.
7. Шмырева А.Н. Назначение, состав и основные характеристики электроснабжения космических аппаратов // Матер. региональной школы-семинара “Украинский молодежный спутник”. – К., 2004. – С. 32–43.
8. Bergmann R.B. Crystalinne Si thin-film solar cells: a review // Appl. Phys. – 1999. – A69. – P. 187–194.
9. Barne tt A., Honsberg C., Kirkpatrick D. New US Ultra High Efficiency R&D Programme // Proc. of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conf. – Dresden (Germany), 2006. – P. 124–128.
10. Swanson R.M. A Vision for crystalline silicon solar cells // Proc. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf. – Paris (France), 2004. – P. 968–974.
11. Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарёва А.Б. и др. Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой // Физика и техника полупроводников. – 2005. – 39, вып. 11. – С. 1393–1398.
12. Шмырева А.Н., Иващук А.И. Фотоэлектрические свойства МДП-фототранзисторов при высоких уровнях возбуждения // Физика и техника полупроводников. – 1979. – 13, №9. – С. 1835–1838.
13. Шмырева А.Н., Кирпатенко Л.Т. Солнечные элементы с поверхностными барьерами // Матер. Всесоюз. семинара “Полупроводниковые приборы с барьерами Шоттки”. – К., 1980. – С. 72.
14. Шмырева А.Н., Кирпатенко Л.Т. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-структур с инверсионными слоями // Диэлектрики и полупроводники. – К.: Наук. думка, 1987. – Вып. 31. – С.71–73.
15. Мариненко О.А. Вплив параметрів дифузійних процесів на характеристики фотоелектричних перетворювачів // Электроника и связь. – 2007. – №1. – С. 12–16.
16. Колтун М.М. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии. – М.: Наука, 1979. – 246 с.
17. Лукомський Д.В., Мариненко О.А., Пашков О.С. Пасивація поверхні фотоелектричних перетворювачів за допомогою окислу кремнію в умовах серійного виробництва // Вісник Київського нац. ун-ту ім. Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. – 2007. – №14. – С. 17–19.
18. Толливер Д., Новицки Р., Хесс Д. и др. Плазменная технология в производстве СБИС / Пер. c англ. под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. – М.: Мир, 1987. – C. 387.
19. Schmidt J., Moschner J.D., Henze J. Recent progress in the surface passivation of silicon solar cells using silicon nitride 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 7–11 June 2004. – Paris (France), 2004. – Р. 391–996.
20. Fedorovich O.A., Kruglenko M.P., Lukomskij D.V., Marinenko A.A., Polozov B.P. Modernization of the plasma chemical etching equipment for isolation of the p-n junction at the photoconverters production // Proc. 11th Intern. ConferenceSchool on Plasma Physics and Controlled Fusion, Alushta (Ukraine), 11–16 September, 2006. – Алушта, 2006. – P. 142–143.

Полнотекстовый документSize
2008-6-2.pdf246.8 KB