Модельные представления о вхождении редкоземельных примесей (Eu и Y) в нанокристаллический кремний

Автори

Предложены модельные представления о природе РЗМ-примесных центров в пленках нанокристаллического кремния. С помощью результатов анализа химического состава материала, а также температурных измерений сопротивления проведено сопоставление теоретических и экспериментальных данных. Установлено, что природа примесных центров изменяется в зависимости от условий получения пленок (температура осаждения) и концентрации примеси.

Год издания: 
2009
Номер: 
6
УДК: 
681.382
С. 5—9, укр., Іл. 2. Бібліогр.: 7 назв.
Литература: 

1. Мездрогина М.М., Аннаоразова М.П., Теруков Е.И. Формирование оптически активных центров в пленках аморфного гидрированного кремния при легировании эрбием // Физика и техника полупроводников. — 1999. — 33, № 10. — С. 1260—1263.
2. Emtsev V.V., Ammerlaan C.A.J., Andreev B.A. Shallow donors in silicon coimplanted with rare-earth ions and oxygen // Physica B. — 2001. — 308-310. — P. 350—353.
3. Prokofiev A.A., Yassievich I.N., Vrielinck H. Microscopic theory of erbium ion de-excitation processes in silicon // Optical materials. — 2006. — 28. — P. 825—830.
4. Коваль В.М., Шмырева А.Н. Гетероструктурные преобразователи на основе нанокристаллического кремния // Радиотехника: Сб. научн. тр. — Харьков: ХНУРЭ, 2006. — Вып. 145. — С. 57—62.
5. Коваль В.М., Шмирєва О.М. Дослідження домішкових центрів Eu в кремнієвих плівках // Наукові вісті НТУУ “КПІ”. — 2007. — № 5. — С. 36—40.
6. Коваль В.М., Шмырева А.Н. Гетероструктурные преобразователи на основе пленок nc-Si:Eu // Харьк. нанотехн. ассамблея-2006: Тез. докл. — Харьков: ХФТИ, 2006. — С. 185.
7. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / Пер. с англ. — М.: Мир, 1977. — 562 с.

Полнотекстовый документSize
2009-6-1.pdf263.98 KB