Твердотельные реакции в пленочной композиции Ti (200 нм)/Cu (200 нм)/Ti (10 нм)/ Sio2(370 нм) на монокристаллическом кремнии (001)

Методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов (cross-section), растровой электронной микроскопии и резистометрии исследованы твердотельные реакции в пленочной композиции Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10 нм)/SiO2(370 нм) на монокристаллическом кремнии ориентации (001). Исследуемая пленочная композиция была получена последовательным электронно-лучевым осаждением слоев элементов в вакууме не ниже 10−4 Па без развакуумирования на подложку кремния со слоем оксида на поверхности. Вакуумные отжиги образцов проводились в температурном интервале 670–1170 К на протяжении одного часа. Установлено, что первая силицидная фаза меди Cu15Si4 формируется после отжига в вакууме при температуре 970 К; отжиг при 1070 К сопровождается образованием тройного соединения СuSiTi и TiSi2

Год издания: 
2009
Номер: 
6
УДК: 
539.216.2:661.685
С. 98-103, укр., Іл. 4. Бібліогр.: 10 назв
Литература: 

1. Properties of Metal Silicides / Edited by Karen Maex and Marc Van Rossum // Emis. Datareviews Series. — 1995. — N 14. — 350 p.
2. Benouattas N., Mosser A., Raiser D. et al. Behaviour of copper atoms in annealed Cu/SiOx/Si systems // J. Appl. Surf. Sci. — 2000. — 153. — P. 79—84.
3. Lee Y.-J., Suh B.S., Park C.-O. Co-sputter deposited Ta-Si diffusion barrier between Si and Cu: the effects of Si content on the barrier property // J. Thin Solid Films. — 1999. — 357. — P. 237—241.
4. Laurila T., Zeng K., Kivilahti J.K. et al. Chemical stability of Ta diffusion barrier between Cu and Si // Ibid. — 2000. — 373. — P. 64—67.
5. Youn Tae Kim, Chi-Hoon Jun, Dae Yong Kim. Barrier properties of TiN/TiSi2 bilayers formed by two-step rapid thermal conversion process for Cu diffusion barrier // Ibid. — 1999. — 347. — P. 214—219.
6. Jangwoong Unm J., Hyeongtag Jeon. TiN diffusion barrier grown by atomic layer deposition method for Cu metallization // J. Appl. Phys. — 2001. — 40. — P. 4657—4660.
7. Boltovets N.S., Kashin G.N., Konakova R.V. et al. Study of interactions between phases that occur during formation of Au-Ti-SiO2 thin-film systems // Proc. of the 12th International Simposium “Thin Films in Electronics”. — 2000. — Р. 199—200.
8. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. — М.: Мир, 1982. — 576 с.
9. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П. и др. Исследование твердофазных реакций в пленочной системе Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10 нм)/SiO2(370 нм) на кремнии // Сб. докл. “Тонкие пленки в оптике и электронике”. — 2003. — C. 56—60.
10. Макогон Ю.М., Сидоренко С.І., Павлова О.П., Вербицька Т.І. Фазоутворення у плівковій композиції Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO2(370 нм) на монокристалічному кремнії орієнтації (001) // Наукові вісті НТУУ КПІ”. — 2008. — № 4. — С. 103—107.

Полнотекстовый документSize
2009-6-15.pdf446.78 KB

Тематичні розділи журналу

,