Беддис Г.

Формирование фазового состава и структуры в наноразмерных пленочных композициях CoSb([sub]1,82–2,51[/sub])(30 нм)/SiO[sub]2[/sub](100 нм)/ Si(001) – функциональных элементах термоэлектроники

Исследованы процессы фазообразования и структура в пленке CoSb(1,82–2,51)(30 нм) на подложке монокристаллического кремния Si(001) со слоем оксида SiO2(100 нм) методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и резистометрии.

Фазовые превращения и физические cвойства наноразмерной пленочной композиции fe50pt50 (30 нм)/sio2(100 нм)/ Si(001)Pt50 (30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001)

Изучены условия формирования магнитноупорядоченной фазы L10(FePt) с гранецентрированной тетрагональной решеткой в наноразмерной пленочной композиции Fe50Pt50(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) при отжиге в азоте. Исследованы ее структура, морфология, электрические и магнитные характеристики. Показано, что в пленке Fe50Pt50 магнитноупорядоченная фаза L10(FePt) с зернами прямоугольной формы образуется после отжига при температуре 720 К, формирование которой в процессе дальнейших отжигов ведет к увеличению коэрцитивной силы пленки Fe50Pt50 до 1000 Гс при намагниченности насыщения ~945 эмо/см2.