Чирчик С.В.

Бесконтактный способ измерения рекомбинационных параметров носителей заряда в полупроводниках

Предложен бесконтактный оптический способ измерения скорости поверхностной рекомбинации (s) и диффузной длины (L) носителей заряда, основанный на анализе зависимости интенсивности избыточного теплового излучения (ТИ) полупроводникового образца в спектральной области поглощения свободными носителями (hν < Eg) от длины волны возбуждающего света из области собственного поглощения (hν > Eg). Способ тестирован на пластинах монокристаллического Sі с различной обработкой поверхности, которая позволяла изменять s от 400 до > 105 см/с.