Электроника, радиотехника и средства телекоммуникаций

Повышение точности ортогональных преобразований для анализа линейных систем

Проводится анализ применения неминимальных формул вычисления производной при использовании метода ортогональних преобразований, что приводит к повышению точности выбранного метода по сравнению со случаем применения формулы разделенной разности.

Особенности формирования полей криволинейными акустическими антеннами, образованными из круговых цилиндрических пьезокерамических приемников звука

Выполнены исследования связанных полей различной физической природы, возникающих в дуговых цилиндрических решетках, образованных из тонкостенных цилиндрических пьезокерамических преобразователей с локально реагирующими акустическими экранами во внутренней полости и без них, при взаимодействии решеток с плоскими акустическими волнами, в зависимости от параметров преобразователей, решеток и волн. Установлены закономерности влияния этого взаимодействия на особенности формирования акустических, механических и электрических полей преобразователями решеток.

Нормальное дискретное преобразование с действительным ядром сигнала произвольной формы

Предложен метод формирования дискретного ортогонального преобразования, названного нормальным, при котором спектр преобразования для тестового сигнала произвольной формы будет содержать только одну ненулевую трансформанту.

Низкочастотное расширение диапазона работы магниторезистивного измерительного преобразователя активной мощности средних частот

Показано, что постоянная составляющая продетектированого магниторезистивным преобразователем сигнала пропорциональна активной мощности в линии передачи. Исследованы модели коммутаторов тока и напряжения на симисторах.

Применение нейронной сети для поиска объектов на изображении

Представлен вариант решения задачи поиска различных классов объектов на изображении с помощью нейронных сетей. Експериментально доказано, что нейронная сеть с высокой точностью и надежностью способна осуществлять поиск катушек индуктивности, автомобильных номерных знаков и глаз на изображении.

Бесконтактный способ измерения рекомбинационных параметров носителей заряда в полупроводниках

Предложен бесконтактный оптический способ измерения скорости поверхностной рекомбинации (s) и диффузной длины (L) носителей заряда, основанный на анализе зависимости интенсивности избыточного теплового излучения (ТИ) полупроводникового образца в спектральной области поглощения свободными носителями (hν < Eg) от длины волны возбуждающего света из области собственного поглощения (hν > Eg). Способ тестирован на пластинах монокристаллического Sі с различной обработкой поверхности, которая позволяла изменять s от 400 до > 105 см/с.

Модельные представления о вхождении редкоземельных примесей (Eu и Y) в нанокристаллический кремний

Предложены модельные представления о природе РЗМ-примесных центров в пленках нанокристаллического кремния. С помощью результатов анализа химического состава материала, а также температурных измерений сопротивления проведено сопоставление теоретических и экспериментальных данных. Установлено, что природа примесных центров изменяется в зависимости от условий получения пленок (температура осаждения) и концентрации примеси.

Модифицированная методика оценки эффективности систем передачи информации

Представлена модифицированная методика оценки эффективности систем передачи информации, дополняющая известную методику А.Г. Зюко. Предложена новая шкала информационной эффективности, а также корректное отображение показателей частотной, энергетической и информационной эффективности для дискретных и непрерывных систем передачи в области, ограниченной границей Шеннона. Показатели эффективности оцениваются при изменении требований к достоверности приема сигналов различных видов модуляции.

Широкополосные эталонные излучатели для УФ-области на основе карбида кремния

Исследовано влияние микроплазменной структуры, рабочего напряжения и температуры на ультрафиолетовую компоненту спектрального распределения квантового выхода светодиодов на основе SiC-6H и SiC-15R, работающих в режиме электрического пробоя. Выявлена закономерная связь характеристик образцов со свойствами исходных кристаллов и микроплазменной структурой пробоя. Полученные результаты свидетельствуют о возможности расширения диапазона стабильной работы приборов в ультрафиолетовую область до 250 нм.

Соотношение пропускной способности и производительности систем передачи на базе технологии UMTS

Приведено описание понятия “пропускная способность” в таком виде, в каком ее подал К. Шеннон. Предложена модель системы передачи дискретной информации. На примере технологии UMTS приводится трансформация оригинальной формулы пропускной способности Шеннона по мере преобразования информации на каждом участке модели системы передачи.