Електроніка, радіотехніка та засоби телекомунікацій

Підвищення точності ортогональних перетворень для аналізу лінійних систем

Проводиться аналіз застосування немінімальних формул обчислення похідної при використанні методу ортогональних перетворень, що приводить до підвищення точності вибраного методу порівняно з випадком застосування формули розділеної різниці.

Особливості формування полів криволінійними акустичними антенами, утвореними з кругових циліндричних п’єзокерамічних приймачів звуку

Виконано дослідження пов’язаних полів різної фізичної природи, що виникають у дугових циліндричних решітках, які утворені з тонкостінних циліндричних п’єзокерамічних перетворювачів з локально-реагуючими акустичними екранами у внутрішній порожнині та без них, при взаємодії решіток з плоскими акустичними хвилями, в залежності від параметрів перетворювачів, решіток та хвиль. Виявлено закономірності впливу цієї взаємодії на особливості формування акустичних, механічних та електричних полів перетворювачами решіток.

Нормальне дискретне перетворення з дійсним ядром сигналу довільної форми

Запропоновано метод формування дискретного ортого нального перетворення, названого нормальним, при якому спектр перетворення для тестового сигналу довільної форми буде містити тільки одну ненульову трансформанту.

Низькочастотне розширення діапазону роботи магніторезистивного вимірювального перетворювача активної потуж ності середніх частот

Показано, що стала складова продетектованого магніторезистивним перетворювачем сигналу пропорційна активній потужності в лінії передачі. Досліджено моделі комутаторів струму і напруги на симисторах.

Застосування нейронної мережі для пошуку об'єктів на зображенні

Наведено варіант розв'язання задачі пошуку різних класів об'єктів на зображенні за допомогою нейронних мереж. Експериментально доведено, що нейронна мережа з високою точністю та надійністю здатна здійснювати пошук котушок індуктивності, автомобільних номерних знаків та очей на зображенні.

Безконтактний спосіб вимірювання рекомбінаційних параметрів носіїв заряду в напівпровідниках

Запропоновано безконтактний оптичний спосіб вимірювання швидкості поверхневої рекомбінації (s) і дифузійної довжини (L) носіїв заряду, заснований на аналізі залежності інтенсивності надлишкового теплового випромінювання (ТВ) напівпровідникового зразка в спектральній області поглинання вільними носіями (hν < Eg) від довжини хвилі збуджуючого світла з області власного поглинання (hν > Eg). Спосіб тестовано на пластинах монокристалічного Sі з різною обробкою поверхні, що давало можливість змінювати s від 400 до > 105 см/с.

Модельні уявлення про входження рідкоземельних домішок (Eu і Y) в нанокристалічний кремній

Запропоновано модельні уявлення про природу РЗМдомішкових центрів у плівках нанокристалічного кремнію. За допомогою результатів аналізу хімічного складу матеріалу, а також температурних вимірювань опору проведено порівняння теоретичних і експериментальних даних. Встановлено, що природа домішкових центрів змінюється залежно від умов отримання плівки (температури осадження) та концентрації домішок.

Синтез цифрової радіорелейної мережі з мінімізацією кількості робочих частот

Розглядаються мережі, в яких вузли зв'язку з'єднані між собою однопрогінними або багатопрогінними радіорелейними цифровими лініями. Наводиться спосіб модифікації відомих алгоритмів (методів) синтезу структури мережі, який дозволяє мінімізувати частотний ресурс. Оцінку ефективності наведеного способу проведено за допомогою тестових розрахунків із застосуванням цифрових карт.

Модифікована методика оцінки ефективності систем передачі інформації

Наведено модифіковану методику оцінки ефективності систем передачі інформації, що доповнює відому методику А.Г. Зюко. Запропоновано нову шкалу інформаційної ефективності, а також коректне відображення показників частотної, енергетичної та інформаційної ефективності для дискретних і неперервних систем передачі в області, обмеженій границею Шеннона. Показники ефективності оцінюються при зміні вимог до достовірності прийому сигналів різних видів модуляції.

Широкосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію

Досліджено вплив мікроплазмової структури, робочої напруги, температури на ультрафіолетову компоненту спектрального розподілу квантового виходу світлодіодів на основі SiC-6 H і SiC-15 R , що працюють у режимі електричного пробою. Виявлено закономірний зв'язок характеристик зразків із властивостями вихідних кристалів та мікроплазмовою структурою пробою. Отримані результати свідчать про можливість розширення діапазону стабільної роботи приладів в ультрафіолетову область до 25 0 нм.